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詳細情報 |
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| 中央波長: | 1450nm | ポート番号: | 1x1ポート |
|---|---|---|---|
| ステージ: | 二重段階 | 繊維の長さ: | 1メートル |
| ディバイダーの比率: | 98/2 年 | サイズ: | 3.5mm × 25mm × 25mm |
| タイプ: | 受動の部品 | 繊維: | こんにちは 1060 |
| 動作温度: | -40°C から +85°C | パワー処理能力: | 高い力 |
| コネクタ: | FC APC から FC UPC | 繊維の種類: | シングルモード |
| 波長範囲: | 1310nm-1550nm | Wavelegth: | 850nm /1310nm |
| 適用する: | 光通信システム | ||
| ハイライト: | 10KM QSFP28 LR4トランシーバー,1310nm-1550nm QSFP28 LR4トランシーバー,100Gbps QSFP28 LR4トランシーバー |
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製品の説明
- 本製品は、IEEE P802.3ba規格の100GBASE-LR4に準拠した光通信アプリケーション向けに設計された100Gb/sトランシーバモジュールです。このモジュールは、25Gb/s 電気データの 4 つの入力チャネルを 4 チャネルの LAN WDM 光信号に変換し、それらを 100Gb/s 光伝送用の単一チャネルに多重化します。逆に受信側では、モジュールは 100Gb/s 光入力を 4 チャネルの LAN WDM 光信号に逆多重化し、それらを 4 つの出力チャネルの電気データに変換します。
- 4 つの LAN WDM チャネルの中心波長は、IEEE 802.3ba で定義されている LAN WDM 波長グリッドのメンバーである 1295.56、1300.05、1304.58、および 1309.14 nm です。高性能冷却型 LAN WDM EA-DFB トランスミッタと高感度 PIN レシーバは、最大 10 km リンクの 100 ギガビット イーサネット アプリケーションに優れたパフォーマンスを提供し、IEEE802.3ba 第 88 条 100GBASE-LR4 要件の光インターフェイスに準拠しています。
- この製品は、QSFP+ マルチソース アグリーメント (MSA) に従って、フォーム ファクター、光/電気接続、デジタル診断インターフェイスを備えて設計されています。温度、湿度、EMI 干渉などの最も厳しい外部動作条件を満たすように設計されています。
。
特徴
- ホットプラグ可能な QSFP28 MSA フォーム ファクター
- IEEE 802.3ba 100GBASE-LR4に準拠
- G.652 SMF の場合は最大 10 km の到達距離
- +3.3V単一電源
- 動作ケース温度：0～70℃
- トランスミッター: 冷却型 4x25Gb/s LAN WDM EML TOSA (1295.56、1300.05、1304.58、1309.14nm)
- レシーバー: 4x25Gb/s PIN ROSA
- 4x28G 電気シリアル インターフェイス (CEI-28G-VSR)
- 最大消費電力 4.0W
- デュプレックス LC レセプタクル
アプリケーション
- 100GBASE-LR4 イーサネット リンク
- Infiniband QDR および DDR 相互接続
- クライアント側の 100G テレコム接続
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機能の説明
- トランシーバー モジュールは 4 チャネルの 25Gb/s 電気データを受信し、各電気信号のジッターを再形成して低減する 4 チャネル クロックおよびデータ リカバリ (CDR) IC によって処理されます。その後、4 つの EML レーザー ドライバー IC のそれぞれが、4 チャネルの電気信号の 1 つを、送信光サブアセンブリ (TOSA) にパッケージ化された 4 つの冷却 EML レーザーの 1 つから送信される光信号に変換します。各レーザーは、IEEE802.3ba 100GBASE-LR4 要件で指定された特定の波長で光信号を発信します。これらの 4 レーンの光信号は、4 対 1 の光 WDM MUX によって 1 本のファイバーに光多重化されます。各チャネルの光出力パワーは、自動パワー制御 (APC) 回路によって一定に維持されます。送信機の出力は、TX_DIS ハードウェア信号および/または 2 線式シリアル インターフェイスによってオフにできます。
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受信機は 4 レーン LAN WDM 光信号を受信します。光信号は 1:4 光 DEMUX によって逆多重化され、結果として得られる 4 チャネルの光信号はそれぞれ、受信光サブアセンブリ (ROSA) にパッケージ化された 4 つの受信機の 1 つに供給されます。各受信機は光信号を電気信号に変換します。再生された電気信号は、4 チャネル CDR の RX 部分によってリタイミングおよびデジッタ処理され、増幅されます。リタイミングされた 4 レーン出力電気信号は、IEEE CAUI-4 インターフェイス要件に準拠しています。さらに、受信した各光信号は DOM セクションによって監視されます。監視値は 2 線式シリアル インターフェイスを通じて報告されます。 1 つ以上の受信光信号がしきい値レベルより弱い場合、RX_LOS ハードウェア アラームがトリガーされます。
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この製品に電源を投入するには、+3.3V の単一電源が必要です。両方の電源ピン VccTx と VccRx は内部で接続されており、同時に印加する必要があります。 MSA 仕様に従って、モジュールは 7 つの低速ハードウェア制御ピン (2 線式シリアル インターフェイスを含む): ModSelL、SCL、SDA、ResetL、LPMode、ModPrsL、および IntL を提供します。
-
モジュール選択 (ModSelL) は入力ピンです。ホストによって Low に保持されると、この製品は 2 線式シリアル通信コマンドに応答します。 ModSelL を使用すると、単一の 2 線式インターフェイス バス上でこの製品を使用できます。個別の ModSelL ラインを使用する必要があります。
-
シリアル クロック (SCL) とシリアル データ (SDA) は 2 線式シリアル バス通信インターフェイスに必要で、ホストが QSFP28 メモリ マップにアクセスできるようになります。
-
ResetL ピンの Low レベルが最小パルス長よりも長く保持されると、ResetL ピンは完全なリセットを有効にし、設定をデフォルトの状態に戻します。リセットの実行中、ホストはリセット割り込みの完了を示すまですべてのステータス ビットを無視します。この製品は、メモリ マップ内で Data_Not_Ready ビットがネゲートされた IntL (割り込み) 信号を送信することでこれを示します。電源投入時（ホットインサートを含む）、モジュールはリセットを必要とせずにリセット割り込みの完了を通知する必要があることに注意してください。
-
低電力モード (LPMode) ピンは、高電力モジュールが誤って挿入された場合に、高電力モジュールを冷却できないホストを保護するために、製品の最大消費電力を設定するために使用されます。
Module Present (ModPrsL) はホスト ボードにローカルな信号で、製品が存在しない場合、通常はホスト Vcc にプルアップされます。製品がコネクタに挿入されると、ホストボード上の抵抗を介してグランドへのパスが完成し、信号がアサートされます。次に、ModPrsL を「Low」状態に設定することで、ModPrsL がその存在を示します。
-
割り込み (IntL) は出力ピンです。 「低」は、動作上の障害の可能性、またはホスト システムにとって重大なステータスを示します。ホストは 2 線式シリアル インターフェイスを使用して割り込みのソースを識別します。 IntL ピンはオープン コレクタ出力であり、ホスト ボード上のホスト Vcc 電圧にプルする必要があります。
トランシーバーのブロック図
図 1. トランシーバーのブロック図
ピンの割り当てと説明
図 2. MSA 準拠の Connecto
ピンの定義
| ピン | 論理 | シンボル | 名前/説明 | 注記 |
| 1 | GND | 地面 | 1 | |
| 2 | CML-I | Tx2n | トランスミッタ反転データ入力 | |
| 3 | CML-I | Tx2p | トランスミッタの非反転データ出力 | |
| 4 | GND | 地面 | 1 | |
| 5 | CML-I | Tx4n | トランスミッタ反転データ入力 | |
| 6 | CML-I | Tx4p | トランスミッタの非反転データ出力 | |
| 7 | GND | 地面 | 1 | |
| 8 | LVTLL-I | ModSelL | モジュール選択 | |
| 9 | LVTLL-I | リセットL | モジュールのリセット | |
| 10 | VccRx | +3.3V電源レシーバー | 2 | |
| 11 | LVCMOS-I/O | SCL | 2線式シリアルインターフェースクロック | |
| 12 | LVCMOS-I/O | SDA | 2 線式シリアルインターフェースデータ | |
| 13 | GND | 地面 | ||
| 14 | CML-O | Rx3p | レシーバーの非反転データ出力 | |
| 15 | CML-O | Rx3n | レシーバー反転データ出力 | |
| 16 | グランド | 地面 | 1 | |
| 17 | CML-O | Rx1p | レシーバーの非反転データ出力 | |
| 18 | CML-O | Rx1n | レシーバー反転データ出力 | |
| 19 | グランド | 地面 | 1 | |
| 20 | グランド | 地面 | 1 | |
| 21 | CML-O | Rx2n | レシーバー反転データ出力 | |
| 22 | CML-O | Rx2p | レシーバーの非反転データ出力 | |
| 23 | グランド | 地面 | 1 | |
| 24 | CML-O | Rx4n | レシーバー反転データ出力 | 1 |
| 25 | CML-O | Rx4p | レシーバーの非反転データ出力 | |
| 26 | グランド | 地面 | 1 | |
| 27 | LVTTL-O | ModPrsL | モジュールが存在します | |
| 28 | LVTTL-O | 国際 | 割り込み | |
| 29 | VccTx | +3.3V電源送信機 | 2 | |
| 30 | Vcc1 | +3.3V電源 | 2 | |
| 31 | LVTTL-I | LPモード | 低電力モード | |
| 32 | グランド | 地面 | 1 | |
| 33 | CML-I | Tx3p | トランスミッタの非反転データ入力 | |
| 34 | CML-I | Tx3n | トランスミッタ反転データ出力 | |
| 35 | グランド | 地面 | 1 | |
| 36 | CML-I | Tx1p | トランスミッタの非反転データ入力 | |
| 37 | CML-I | 送信1n | トランスミッタ反転データ出力 | |
| 38 | グランド | 地面 | 1 |
注:
- GND は、QSFP28 モジュールに共通の信号と電源 (電源) のシンボルです。特に明記しない限り、すべてはモジュール内で共通であり、すべてのモジュール電圧はこの電位を基準としています。これらをホストボードの信号共通グランドプレーンに直接接続します。
- VccRx、Vcc1、および VccTx は受信および送信の電源供給源であり、同時に適用されます。推奨されるホストボードの電源フィルタリングを以下の図 3 に示します。 Vcc Rx、Vcc1、および Vcc Tx は、モジュール内で任意の組み合わせで内部接続できます。コネクタ ピンのそれぞれの最大電流定格は 1000mA です。
推奨電源フィルタ
絶対最大定格
個々の絶対最大定格を超えて動作させると、このモジュールに永久的な損傷を与える可能性があることに注意してください。
| パラメータ | シンボル | 分 | マックス | 単位 | 注意事項 |
| 保管温度 | TS | -40 | 85 | ℃ | |
| 動作ケース温度 | TOP | 0 | 70 | ℃ | |
| 電源電圧 | VCC | -0.5 | 3.6 | V | |
| 相対湿度 (結露なきこと) | RH | 0 | 85 | % | |
| 各レーンのダメージしきい値 | THd | 5.5 | dBm |
推奨動作条件と電源要件
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | 単位 |
| 動作ケース温度 | TOP | 0 | 70 | ℃ | |
| 電源電圧 | VCC | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V |
| データレート、各レーン | 25.78125 | Gb/秒 | |||
| 制御入力電圧が高い | 2 | Vcc | V | ||
| 制御入力電圧が低い | 0 | 0.8 | V | ||
| G.652 とのリンク距離 | D | 0.002 | 10 | km |
電気的特性
以下の電気的特性は、特に指定がない限り、推奨動作環境に対して定義されています。
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | 単位 | 注意事項 | ||
| 消費電力 | 4.0 | W | ||||||
| 消費電流 | Icc | 1.21 | あ | |||||
| トランシーバーの電源投入時の初期化時間 |
2000年 |
MS |
1 |
|||||
| 送信機（各レーン） | ||||||||
|
シングルエンド入力電圧許容差(注2) |
-0.3 |
4.0 |
V |
TP1信号コモンを参照 | ||||
|
ACコモンモード入力 電圧許容差 |
15 |
mV |
RMS |
|||||
| 差動入力電圧スイングしきい値 |
50 |
mVpp |
ロサ しきい値 |
|||||
| ディファレンシャルスイング | 入力 | 電圧 |
ヴィン、pp |
190 |
700 |
mVpp |
||
| 差動入力インピーダンス | ジン | 90 | 100 | 110 | オーム | |||
| 受信機（各レーン） | ||||||||
|
シングルエンド電圧 |
出力 |
-0.3 |
4.0 |
V |
参照信号 一般 |
|||
|
ACコモンモード出力 電圧 |
7.5 |
mV |
RMS |
|||||
| 差動出力電圧振幅 |
ヴァウト、pp |
300 |
850 |
mVpp |
||||
| 差動インピーダンス | 出力 |
ザウト |
90 |
100 |
110 |
オーム |
||
注:
1.パワーオン初期化時間は、電源電圧が所定の電圧に達してからその電圧を維持するまでの時間です。
モジュールが完全に機能するまでの最小推奨動作電源電圧。
2.シングルエンド入力電圧許容範囲は、瞬時入力信号の許容範囲です。
光学特性
| QSFP28 100GBASE-LR4 | |||||||||||
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | 注意事項 | |||||
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レーンの波長 |
L0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | ||||||
| L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | |||||||
| L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | |||||||
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | |||||||
| 送信機 | |||||||||||
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | dB | ||||||||
| 総平均発射力 | PT | 10.5 | dBm | ||||||||
| 各レーンの平均発射パワー |
P平均 |
-4.3 |
4.5 |
dBm |
|||||||
| OMA、各レーン | Pオマ | -1.3 | 4.5 | dBm | 1 | ||||||
| 任意の 2 つのレーン間の発射力の違い (OMA) |
ポイント、差分 |
5 |
dB |
||||||||
| OMA での発射電力から送信機と分散を差し引いたもの |
-2.3 |
dBm |
|||||||||
| ペナルティ (TDP)、各レーン | |||||||||||
| TDP、各レーン | TDP | 2.2 | dB | ||||||||
| 消光比 | ER | 4 | dB | ||||||||
| リン20オマ | リン | -130 | dB/Hz | ||||||||
| 光学的リターンロス許容値 | トール | 20 | dB | ||||||||
| 送信機の反射率 | RT | -12 | dB | ||||||||
| アイマスク{X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3} |
{0.25、0.4、0.45、0.25、0.28、0.4} |
2 |
|||||||||
|
平均起動パワーオフ 送信機、各レーン |
ポフ |
-30 |
dBm |
||||||||
| 受信機 | |||||||||||
| 各レーンのダメージしきい値 | THd | 5.5 | dBm | 3 | |||||||
| 総平均受信電力 | 10.5 | dBm | |||||||||
| 各レーンの平均受信電力 |
-10.6 |
4.5 |
dBm |
||||||||
|
受信電力 (OMA)、それぞれ レーン |
4.5 |
dBm |
|||||||||
| 受信感度 (OMA)、各レーン |
セン |
-8.6 |
dBm |
||||||||
|
ストレスを受けた受信機の感度 (OMA)、各レーン |
-6.8 |
dBm |
4 |
||||||||
| 受信機の反射率 | RR | -26 | dB | ||||||||
|
受信電力の違い 任意の 2 車線間 (OMA) |
ＰＲＸ、差分 |
5.5 |
dB |
||||||||
| LOS アサート | ロサ | -18 | dBm | ||||||||
| LOS ディアサート | LOSD | -15 | dBm | ||||||||
| LOSヒステリシス | ロッシュ | 0.5 | dB | ||||||||
| レシーバーの電気的 3 dB 上限カットオフ周波数、各レーン |
FC |
31 |
GHz |
||||||||
| ストレスレシーバー感受性試験の条件（注5） | |||||||||||
| 垂直アイクローズペナルティ、各レーン |
1.8 |
dB |
|||||||||
| ストレスアイ J2 ジッター、各レーン | 0.3 | UI | |||||||||
| ストレス アイ J9 ジッター、各レーン | 0.47 | UI | |||||||||
注:
1.TDP < 1 dB の場合でも、OMA 最小値はここで指定された最小値を超える必要があります。
2.以下の図 4 を参照してください。
3.受信機は、変調された光入力信号に連続的にさらされても損傷することなく耐えることができるものとします。
1 つのレーンでこの電力レベルを持つこと。受信機はこの入力電力で正しく動作する必要はありません。
4.受信機入力における適合性テスト信号を使用して、BER = 1x10-12 で測定。
5.垂直アイ閉鎖ペナルティとストレスを受けたアイのジッターは、ストレスを受けた受信機の感度を測定するためのテスト条件です。これらは受信機の特性ではありません。
デジタル診断機能
以下のデジタル診断特性は、特に指定がない限り、通常の動作条件に対して定義されています。
| パラメータ | シンボル | 分 | マックス | 単位 | 注意事項 |
| 温度モニタ絶対誤差 |
DMI_温度 |
-3 |
+3 |
℃ |
動作温度範囲を超えています |
|
電源電圧監視 絶対誤差 |
DMI_VCC |
-0.1 |
0.1 |
V |
オーバーフル稼働 範囲 |
| チャネル RX パワー モニタ絶対エラー |
DMI_RX_Ch |
-2 |
2 |
dB |
1 |
|
チャネルバイアス電流 モニター |
DMI_Ibias_Ch | -10% | 10% | ミリアンペア | |
|
チャネル送信電力 絶対誤差を監視する |
DMI_TX_Ch | -2 | 2 | dB | 1 |
注:
さまざまなシングルモード ファイバーの測定精度により、さらに +/-1 dB の変動、または +/- 3 dB の合計精度が発生する可能性があります。
機械的寸法
図 5. 機械的概要
ESD
このトランシーバーは、MIL-STD-883、メソッド 3015.4 /JESD22-A114-A (HBM) に従ってテストされ、高速データ ピンの ESD しきい値 1KV、その他すべての電気入力ピンの ESD しきい値 2KV として指定されています。ただし、このモジュールの取り扱い中は、通常の ESD 予防措置が依然として必要です。このトランシーバーは、ESD 保護パッケージで出荷されます。パッケージから取り出し、ESD から保護された環境でのみ取り扱う必要があります。
レーザーの安全性
これは、EN 60825-1:2014 に基づくクラス 1 レーザー製品です。この製品は、Laser Notice No. 50 (2007 年 6 月 24 日) に基づく逸脱を除き、21 CFR 1040.10 および 1040.11 に準拠しています。
注意: ここで指定されているもの以外の制御や調整を使用したり、手順を実行すると、危険な放射線被ばくが生じる可能性があります。
規制の遵守
| 特徴 | 参照 | パフォーマンス |
|
静電気放電(ESD) |
IEC/EN 61000-4-2 |
規格との互換性 |
|
電磁妨害 (EMI) |
FCC パート 15 クラス B EN 55022 クラス B (CISPR22A) |
規格との互換性 |
|
レーザーの目の安全性 |
FDA 21CFR 1040.10、1040.11 IEC/EN 60825-1、2 |
クラス1レーザー製品 |
| コンポーネントの認識 | IEC/EN 60950、UL | 規格との互換性 |
| ROHS | 2002/95/EC | 規格との互換性 |
| EMC | EN61000-3 | 規格との互換性 |